實驗名稱：量子點薄膜的非接觸無損原位檢測

　　實驗內容：量子點薄膜作爲核心功能層，在發光二極管、顯示器等多種光電器件中起著關鍵作用。量子點薄膜厚度的不均勻性必然會影響器件的整體光電特性。然而，傳統的方法很難在不引入額外損傷的情況下快速獲得其厚度分布的相關信息。本文提出了一種非接觸式無損檢測量子點薄膜厚度的方法。在高電場作用下，量子點薄膜會發生光致發光猝滅現象，這與量子點薄膜的厚度以及施加的電壓大小有關。

　　研究方向：光電器件的工藝檢測

　　測試設備：ATA-7025高壓放大器、位移台，光學夾具，金屬探針，信號發生器等。

　　實驗過程：

　　在紫外UV燈激發量子點薄膜光致發光後，在金屬探針上施加由功率放大器ATA-7025放大後的高壓正弦信號，並將電壓加在量子點薄膜兩端。隨後觀察量子點薄膜的光致發光光譜變化情況，研究施加的電壓大小以及量子點薄膜厚度對于猝滅程度的影響。而對于量子點薄膜陣列，通過CCD攝像系統采集施加電壓前後的發光圖像並進行圖像處理，觀察不同厚度像素的發光強度變化情況。

　　實驗結果：

　　通過改變施加在量子點薄膜上的電壓，從而能夠觀察其光致發光的猝滅程度情況。在2800Vpp-4000Vpp的電壓範圍內，隨著電壓升高，量子點薄膜的猝滅程度逐漸增大。此外，將猝滅效率作爲施加電壓的函數進行擬合，可以看出擬合效果較好，說明量子點薄膜的光致發光猝滅程度與施加的電壓大小存在某種函數關系。根據這種實驗規律，對于具有不同厚度的量子點薄膜陣列，可以通過觀察其光致發光顯微圖像的變化來可視化量子點薄膜的厚度信息。

　　功率放大器推薦：ATA-7025高壓放大器

　　圖：ATA-7025高壓放大器指標參數

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