實驗名稱：幹涉法測算的壓電系數基本原理

　　研究方向：光的幹涉原理現在已經廣泛應用在各種領域中，特別是在光譜學、精密計量及探測中。當振動方向相同的兩列波（或者多列波）在空間中某一位置相遇時，相遇位置內各點的振幅等于各列波在該點振幅疊加（對于標量波，相遇位置波的波函數等于所有波的波函數的標量和；對于矢量波，相遇位置波的波函數等于所有波的波函數的矢量和）。其中某些位置的振幅始終增強，另一些位置的振幅始終消弱，最終形成穩定的光強強弱分布。

　　測試設備：高壓放大器、信號發生器、示波器、鎖相放大器、He-Ne激光器、光電探測器等。

　　實驗過程：

　　圖1：幹涉法測量晶體壓電系數的實驗裝置

　　干涉法测量晶体壓電系数的实验装置如图1所示，主要由迈克尔逊千涉仪，信号发生器，高壓放大器，锁相放大器，光电转换元件以及示波器组成。

　　干涉法测量主要利用迈克尔逊干涉对相位的敏感性。干涉仪结构中的两片全反镜分别与参考晶体和待测晶体胶合在一起，由信号源所发出的同相位的两束正弦波经过高壓放大器放大后分别加在参考晶体和待测晶体上。光的干涉信号通过硅探测器转化为电压信号，经过锁相放大器放大。信号源输出与正弦信号频率相同的方波信号作为锁相放大器的参考信号。锁相放大器只针对与参考信号同频率的信号进行放大，一定程度上避免了干扰信号对实验的影响。

　　實驗結果：

　　幹涉法測試材料壓電系數是根據光電轉換元件所反映出的光強變化來觀察兩束光的相對相位變化。在沒有外加電場的條件下，兩束光存在穩定的幹涉，將此時的幹涉光強定位初始值I0。在參考晶體和待測晶體在電場作用下産生形變後的光強爲I＇。而晶體逆壓電效應引起的形變量一般在10nm以內，遠遠小于激光波長。若當I0＝I＇時，不存在兩塊晶體形變量差值爲波長整數倍的情況，可以認爲參考晶體與待測晶體的淨形變量形同。利用光強前後的變化情況，可以得到兩束光相對相位情況，當幹涉光強I＇與初始狀態I0相同時，則可以根據公式1計算出待測樣品的壓電系數。

　　公式1：

　　其中，s代表待測晶體樣品，r代表參考晶體。Ls和Lr分別代表待測晶體和參考晶體待測量的形變方向上的長度。Ts和Tr分別代表與電場矢量方向平行的待測晶體和參考晶體的晶體厚度。Vs和Vr分別代表待測晶體和參考晶體的上表面和下表面之間的電勢差。ds是要測量的壓電系數，dr是己知的參考晶體的壓電系數

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