實驗名稱:非導體接觸式μLED器件的光電特性研究    

研究方向：交流LED驱动、半导体器件      

實驗內容:

依據非導體接觸式μLED模型，制備出相應的器件。其次是針對這種新型結構的μLED，研究其在交流信號驅動下的頻率-電壓、電流-電壓，發光強度等光電特性。

      GaN基微发光二极管(μLEDs)在超高分辨率显示、微显示、可见光通信、固态照明等方面有突出的优势。传统μLED工作机制是：施加正向电压时，空穴电子分别从p区n区注入到多量子阱中辐射复合发光。在正向偏压下，从外部电极注入连续的电子和空穴，导致连续的电致发光。

測試目的：

建立一種非導體接觸式μLED模型並揭示其工作機理，爲改善μLED器件結構、優化工作模式提供理論指導。

測試設備:

非導體接觸式μLED器件、信號發生器、功率放大器、光功率計、雪崩光電探測器、示波器

放大器型號:ATA-1222A寬帶放大器

實驗過程：  

    通過信號發生器産生不同頻率的電壓信號通過功率放大器进行放大输出，并将其施加在非導體接觸式μLED器件上，采用示波器檢測其電學特性，光功率計、雪崩光電探測器測試其電致發光特性。

測試結果：

     1.在交流电场的驱动下，实现了在无外部电荷注入的情况下“无线”点亮μLED。

    2.提出了一种与载流子在交变电场作用下周期性振荡相关的NEC&NCI模式的工作模型，并通过采用“载流子泵”实现高光功率密度，进一步实验验证了该模型。

    3.简要讨论了“电容器内器件”的自我保护机制，即该结构μLED器件可以在高压驱动下正常工作，防止电击穿。

放大器在該實驗中發揮的效能:该设备是本实验中的核心设备，提供驱动信号的调节功能      

選擇該功率放大器的原因:設備性能高，參數滿足要求（差分輸出，電壓幅度較高、頻率範圍較大）

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